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SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
42
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
2150
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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