RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
48
Rund um -66% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2029
2711
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link