RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
48
Rund um -66% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2029
2711
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link