RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
54
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
23400
12800
Rund um 1.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
23400
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2029
2259
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link