RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
41
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
10.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2290
2620
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link