RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
29
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
12.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1822
2865
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link