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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Confronto
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
29
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
29
Velocità di lettura, GB/s
12.6
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1822
2865
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
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