RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
29
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
13.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1822
3076
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link