RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1822
3076
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link