RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
41
Rund um -37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
12.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1484
3189
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link