RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
49
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
11.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1484
2534
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link