RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Comparez
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Note globale
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
49
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
49
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1484
2534
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link