RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
41
Rund um -37% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1484
2341
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link