RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
42
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
11.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2535
2725
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Jinyu 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link