RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs INTENSO 5641152 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
INTENSO 5641152 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
INTENSO 5641152 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
27
Rund um -17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.1
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
6.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
2215
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
INTENSO 5641152 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link