RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs INTENSO 5641152 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
INTENSO 5641152 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
INTENSO 5641152 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2215
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
INTENSO 5641152 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641152 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link