RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs INTENSO 5641152 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
INTENSO 5641152 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
INTENSO 5641152 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2215
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
INTENSO 5641152 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link