RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
42
Rund um -62% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
10.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2535
2497
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link