RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
42
Rund um -45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
15.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2535
3546
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link