RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
49
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
42
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
10.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
8.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2535
2413
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link