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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
总分
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
49
左右 14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.7
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
49
读取速度,GB/s
11.7
10.9
写入速度,GB/s
8.0
8.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2535
2413
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB RAM的比较
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
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