RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
44
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
9.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
2852
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link