RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
44
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
9.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
2817
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link