RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
44
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
2817
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link