RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
44
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
2781
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link