RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
44
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
2781
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link