RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
44
75
Rund um 41% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
75
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
1763
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Lenovo 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link