RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
75
Autour de 41% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.9
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
75
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
7.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
1763
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Super Talent F24SB8GH 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link