RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
44
66
Rund um 33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
7.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
7.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
1862
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link