RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
49
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
14.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
3509
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link