RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
49
Около -58% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
16.7
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3509
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link