RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
49
Около -58% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
16.7
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3509
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link