RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
44
Rund um -132% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.8
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
19.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
18.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
3543
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link