RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
46
Rund um 37% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
15.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1605
2973
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-039.A00LF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link