RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
29
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
12.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1605
2925
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link