RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
29
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.4
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.2
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
20.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
17.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1605
3681
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link