RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
65
Rund um -195% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
1,711.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,018.7
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,711.1
13.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
2666
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link