RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gesamtnote
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
65
Rund um -150% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
1,711.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,018.7
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,711.1
15.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
3617
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link