RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
65
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
3617
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link