RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
65
66
Rund um 2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
1,711.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,018.7
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,711.1
7.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
513
1699
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A1866C9 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link