RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
66
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,711.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
66
Prędkość odczytu, GB/s
4,018.7
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,711.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
513
1699
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link