RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
66
Rund um -200% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,929.1
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
14.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
511
3430
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link