SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Gesamtnote
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Gesamtnote
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Unterschiede

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2 left arrow 16
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,978.2 left arrow 12.1
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    33 left arrow 66
    Rund um -100% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 6400
    Rund um 3.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    66 left arrow 33
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2,929.1 left arrow 16.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,978.2 left arrow 12.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    511 left arrow 2947
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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