RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
13.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
66
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,929.1
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
13.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
511
2987
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link