RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB против Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,978.2
13.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
66
Около -100% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
33
Скорость чтения, Гб/сек
2,929.1
16.1
Скорость записи, Гб/сек
2,978.2
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
511
2987
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link