SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB против Kingston 9905295-025.B00LF 1GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Средняя оценка

Kingston 9905295-025.B00LF 1GB

Kingston 9905295-025.B00LF 1GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

66 74

Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения

2 2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,978.2 1,114.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

6400 4200

Около 1.52% выше полоса пропускания

Kingston 9905295-025.B00LF 1GB

Причины выбрать
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Kingston 9905295-025.B00LF 1GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR2
Задержка в PassMark, нс

66 74
Скорость чтения, Гб/сек

2,929.1 2,651.7
Скорость записи, Гб/сек

2,978.2 1,114.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 4200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 4-4-4-12 / 533 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

511 406

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Kingston 9905295-025.B00LF 1GB

Kingston 9905295-025.B00LF 1GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Kingston 99U5625-015.A00G 16GB

Kingston 99U5625-015.A00G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB

модули RAM

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Kingston KHX2800C12D3/4GX 4GB

Kingston KHX2800C12D3/4GX 4GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Kingston 9905625-098.A00G 16GB

Kingston 9905625-098.A00G 16GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB

Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB

модули RAM

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB

G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB

модули RAM