Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB против G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB

G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

51 71

Около 28% меньшая задержка

G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.2 10.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.1 7.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

51 71
Скорость чтения, Гб/сек

10.2 16.2
Скорость записи, Гб/сек

7.6 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2049 1979

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB

Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB

Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB

модули RAM

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB

модули RAM

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB

модули RAM

Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB

Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB

Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB

модули RAM

Kingston HX316C10F/8 8GB

Kingston HX316C10F/8 8GB

Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB

Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB

Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB

модули RAM