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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Compara
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Puntuación global
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
51
71
En 28% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
71
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.6
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2049
1979
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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