RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
41
Около 12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
7.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
41
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
7.7
Скорость записи, Гб/сек
10.3
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
1855
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link