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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
比較する
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
総合得点
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
総合得点
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
41
周辺 12% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15
7.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.3
7.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
17000
周辺 1.13 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
41
読み出し速度、GB/s
15.0
7.7
書き込み速度、GB/秒
10.3
7.6
メモリ帯域幅、mbps
17000
19200
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2569
1855
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAMの比較
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB RAMの比較
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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