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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
41
Por volta de 12% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
7.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
41
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
7.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
7.6
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
1855
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
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