RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
67
92
Около -37% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.2
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
67
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2042
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link