RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Comparar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
67
92
Por volta de -37% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
67
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
8.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
2042
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link